IRFD110 N-Channel Power MOSFET, 100V, 1A, DIP-4
3,50 EUR
IRFD110 është një Power MOSFET me kanal N, i projektuar për aplikime ndërrimi me shpejtësi të lartë. Ai ka një tension burim-drenazh 100V dhe një rrymë të vazhdueshme drenazhi 1A në një paketë kompakte DIP-4.
IRFD110 është një Power MOSFET i fuqishëm me kanal N nga International Rectifier (tani Infineon), i optimizuar për menaxhim efikas të energjisë dhe ndërrim. Dizajni i tij siguron shpejtësi të lartë ndërrimi dhe rezistencë të ulët në gjendje të ndezur, duke e bërë atë të përshtatshëm për qarqet e ndryshme elektronike.
- Tipi: Power MOSFET me Kanal N
- Tensioni Drenazh-Burim (Vds): 100V
- Rryma e Vazhdueshme e Drenazhit (Id): 1A (në Tc=25°C)
- Rezistenca në Gjendje të Ndezur (Rds(on)): 1.2 Ohm (maks)
- Paketimi: DIP-4 (Dual In-line Package) / TO-237
- Karakteristikat: Ndërrim i shpejtë, ngarkesë e ulët e portës, i vlerësuar për energjinë e ortekut
Aplikime Tipike:
- Furnizues rryme me ndërrim (Switching power supplies)
- Qarqet e kontrollit të motorit
- Aplikime ndriçimi
- Konvertorë DC-DC
- Ndërrim i përgjithshëm i energjisë
B2302
10 Copë
Referencat specifike
- MPN
- IRFD110
IRFD110 është një Power MOSFET me kanal N, i projektuar për aplikime ndërrimi me shpejtësi të lartë. Ai ka një tension burim-drenazh 100V dhe një rrymë të vazhdueshme drenazhi 1A në një paketë kompakte DIP-4.