OSG55R092H N-Channel Power MOSFET 600V 40A TO-247
15,00 EUR
OSG55R092H është një MOSFET SuperFET® III N-Channel me tension të lartë nga ON Semiconductor, i projektuar për aplikacione të konvertimit të energjisë me efikasitet të lartë. Ai ka një rezistencë të ulët në gjendje të ndezur prej 0.092Ω dhe një paketë të fortë TO-247.
OSG55R092H është një MOSFET i avancuar SuperFET® III N-Channel nga ON Semiconductor, duke ofruar performancë superiore për aplikacione të kërkuara të energjisë. Kjo pajisje është optimizuar për efikasitet të lartë, EMI të ulët dhe funksionim të qëndrueshëm, duke e bërë atë ideal për sisteme të ndryshme të konvertimit të energjisë.
- Tipi: MOSFET SuperFET® III N-Channel
- Tensioni Drain-Source (VDS): 600V
- Rryma e vazhdueshme Drain (ID): 40A (në TC=25°C)
- Rezistenca në gjendje të ndezur (RDS(on)): 0.092Ω (maks @ VGS=10V, ID=20A)
- Paketa: TO-247
- Ngarkesë e ulët e portës: Përmirëson performancën e ndërrimit
- Kapacitet efektiv i ulët i daljes: Përmirëson efikasitetin
Aplikime tipike:
- Furnizues rryme për servera dhe telekomunikacion
- Karikues EV (Automjete Elektrike)
- Furnizues rryme industrialë
- Faza PFC (Korrigjimi i Faktorit të Fuqisë)
- Furnizues rryme me ndërrim (SMPS)
C1206
10 Copë
Referencat specifike
- MPN
- OSG55R092H
I ri
OSG55R092H është një MOSFET SuperFET® III N-Channel me tension të lartë nga ON Semiconductor, i projektuar për aplikacione të konvertimit të energjisë me efikasitet të lartë. Ai ka një rezistencë të ulët në gjendje të ndezur prej 0.092Ω dhe një paketë të fortë TO-247.