IRF520 N-Channel HEXFET Power MOSFET, 100V, 9.2A, TO-220
3,00 EUR
IRF520 është një MOSFET fuqie HEXFET N-Channel i qëndrueshëm, i projektuar për ndërrim me shpejtësi të lartë dhe aplikacione të menaxhimit të energjisë. Ai ofron një tension drain-source prej 100V dhe një rrymë të vazhdueshme drain prej 9.2A.
IRF520 është një MOSFET fuqie HEXFET N-Channel nga International Rectifier, i vendosur në një paketë TO-220. Ky tranzistor është inxhinieruar për aplikacione që kërkojnë ndërrim me shpejtësi të lartë dhe menaxhim efikas të energjisë. Rezistenca e tij e ulët në gjendje të ndezur dhe aftësia e lartë e rrymës e bëjnë atë të përshtatshëm për një gamë të gjerë qarqesh elektronike.
- Tipi i Kanalit: N-Channel
- Tensioni Drain-Source (Vds): 100V
- Rryma e Vazhdueshme Drain (Id @ Tc=25°C): 9.2A
- Rryma Drain me Pulsim (Idm): 40A
- Rezistenca Drain-Source në Gjendje të Ndezur (Rds(on) @ Vgs=10V): 0.27 Ohm (maks)
- Shpërndarja e Fuqisë (Pd @ Tc=25°C): 60W
- Tensioni Gate-Source (Vgs): ±20V
- Paketa: TO-220
Aplikime Tipike:
- Qarqet e kontrollit të motorëve
- Furnizuesit e energjisë me ndërrim
- Konvertorët DC-DC
- Amplifikatorët audio
- Drajverë solenoidësh dhe relejesh
- Aplikacione ndërrimi me shpejtësi të lartë
A1301
46 Copë
Referencat specifike
- MPN
- IRF520
I ri
IRF520 është një MOSFET fuqie HEXFET N-Channel i qëndrueshëm, i projektuar për ndërrim me shpejtësi të lartë dhe aplikacione të menaxhimit të energjisë. Ai ofron një tension drain-source prej 100V dhe një rrymë të vazhdueshme drain prej 9.2A.