IRLR2905 N-Channel HEXFET Power MOSFET, 55V 42A, D2PAK (TO-263)
2,19 EUR
IRLR2905 është një Power MOSFET i fuqishëm N-Channel HEXFET i projektuar për aplikime me performancë të lartë, duke ofruar një rrymë të vazhdueshme të drain-it prej 42A dhe një tension drain-source prej 55V.
IRLR2905 është një Power MOSFET N-Channel HEXFET nga International Rectifier (tani Infineon), i njohur për teknologjinë e tij të avancuar të përpunimit që jep rezistencë jashtëzakonisht të ulët në gjendje të ndezur për zonë silikoni. Kjo veçori, e kombinuar me një shpejtësi të lartë ndërrimi dhe dizajn të pajisjes të fortë, ofron një zgjidhje efikase dhe të besueshme për aplikime të ndryshme të menaxhimit të energjisë.
- Tipi: MOSFET N-Channel
- Tensioni Drain-Source (Vds): 55V
- Rryma e Vazhdueshme e Drain-it (Id): 42A (në Tc=25°C)
- Rezistenca në Gjendje të Ndezur (Rds(on)): 0.022 Ohm (maks) në Vgs=10V
- Paketimi: D2PAK (TO-263) për aplikime me montim në sipërfaqe
- Teknologjia: HEXFET Power MOSFET
Aplikimet tipike përfshijnë konvertuesit DC-DC me efikasitet të lartë, kontrollin e motorëve, aplikimet automobilistike dhe rregullimin sinkron në furnizime të ndryshme me energji.
B2804,E401
230 Copë
Referencat specifike
- MPN
- IRLR2905
I ri
IRLR2905 është një Power MOSFET i fuqishëm N-Channel HEXFET i projektuar për aplikime me performancë të lartë, duke ofruar një rrymë të vazhdueshme të drain-it prej 42A dhe një tension drain-source prej 55V.