STMicroelectronics STD1NK80ZT4 MOSFET N-Kanal, 800V 0.8A, DPAK
3,00 EUR
STMicroelectronics STD1NK80ZT4 është një MOSFET fuqie me N-kanal i projektuar për aplikime me tension të lartë. Ai ofron një tension burim-drenazh prej 800V dhe rrymë të vazhdueshme drenazhi prej 0.8A në një paketë DPAK (TO-252) për montim në sipërfaqe.
STD1NK80ZT4 është një MOSFET fuqie i qëndrueshëm me N-kanal nga STMicroelectronics, i optimizuar për aplikime ndërrimi me tension të lartë. Dizajni i tij i avancuar siguron performancë efikase dhe besueshmëri në mjedise kërkuese.
- Tipi: MOSFET fuqie me N-kanal
- Tensioni Drenazh-Burim (VDSS): 800V
- Rryma e Vazhdueshme e Drenazhit (ID): 0.8A (në TC=25°C)
- Paketa: DPAK (TO-252)
- Tipi i Montimit: Montim në sipërfaqe (SMD)
Aplikimet tipike përfshijnë furnizuesit e energjisë me ndërprerje, balastet e ndriçimit, kontrollin e motorëve dhe sisteme të tjera të menaxhimit të energjisë me tension të lartë.
E614
9 Copë
Referencat specifike
- MPN
- STD1NK80ZT4
I ri
STMicroelectronics STD1NK80ZT4 është një MOSFET fuqie me N-kanal i projektuar për aplikime me tension të lartë. Ai ofron një tension burim-drenazh prej 800V dhe rrymë të vazhdueshme drenazhi prej 0.8A në një paketë DPAK (TO-252) për montim në sipërfaqe.